肖特基二极管的伏安特性

肖特基二极管的伏安特性

  二极管最重要的特性就是单方向导电性它可以用加在二极管两端的电压和流经二极管电流的关系（简称伏安特性）来说明。肖特基二极管同理。如下图所示为硅二极管伏安特性曲线，横轴表示二极管两端的电压，纵轴表示流经二极管的电流，图中的曲线可分为以下三部分。

1. 肖特基二极管正向特性 

  正向特性见上图的右上半部。当U较小时，I依然等于0，这段电压叫死区电压，也就说，肖特基二极管上虽然加了电压，但这个电压不足以使电流通过PN结这个阻挡层，所以依然无电（死区电压：锗管0.2V~0.4V，硅管0.5V~0.7V左右）。当U超过死区电压以后，只要电压稍稍升高一点就会引起电流急剧增大。通常情况下，硅二极管正向电压不会超过0.7V，锗二极管正向电压不会超过0.3V。由正向特性曲线还可以看到：曲线AB之间是弯曲的，我们称它为线性区。

2. 肖特基二极管反向特性

  当二极管加反向电压时，反向电流很少，而且当反向电压超过零点几伏以后，反向电流不再随反向电压的增大而增大，即达到了饱和，这个电流称为反向饱和电流，一般用符号IS表示。OS段为二极管的反向特性曲线段。

3. 反向击穿特性

  当二极管反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增长，如上图的DE段。若反向电流增长达某一数值，二极管将发生热击穿，热击穿发生将意味着二极管永久性损坏，只要注意控制反向电流的数值，不使其过大，则当反向电压降低时，二极管的性能可能恢复正常。

  从肖特基二极管的反向击穿特性区可以看出，在反向击穿区，电压基本是稳定的，而电流变化却很大，即具有稳压特性，这时只要有效地防止二极管发生热击穿，二极管的危险区就成为稳压管的工作区，稳压管就是依据这一理论制造出来的。

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